据权威媒体披露，全球科技巨头三星正积极准备在即将召开的“VLSI Symposium 2024”上展示其革命性的2nm(SF2)工艺中的第三代GAA(Gate-All-Around)晶体管技术特性。此次展示不仅将揭示这项前沿技术的卓越性能，还预示着三星在半导体领域的新一轮技术突破。更令人期待的是，三星计划在6月16日至20日期间，与业界同仁分享更多关于这一工艺的关键细节和潜在应用。
据三星内部透露，其2nm工艺不仅优化了多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构，还融入了独特的外延和集成工艺。与当前主流的FinFET技术相比，这一新工艺在性能上实现了显著提升，晶体管性能提升幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。这一突破性的进步预示着，未来的芯片将拥有更高的能效比和更低的能耗，为电子设备带来更为出色的性能表现和更长久的续航体验。
三星在半导体工艺领域的追求始终不渝，特别是在经历了与高通合作中的工艺挑战后，三星更是坚定了通过2nm等先进制程技术来巩固其市场地位，并与台积电等竞争对手展开激烈角逐的决心。为了实现这一目标，三星不仅积极投入研发，还通过构建强大的合作伙伴网络来共同推动2nm工艺生态系统的发展。
目前，三星已经吸引了超过50个合作伙伴加入其2nm工艺生态系统。今年2月，三星更是与全球领先的半导体IP供应商Arm达成合作，共同优化基于最新GAA晶体管技术的下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核。这一合作将进一步提升三星芯片的性能和效率，为用户带来前所未有的使用体验。
此外，三星还计划推出第三代3nm工艺。该工艺旨在继续提高芯片密度、降低功耗，并努力提升良品率。虽然三星的初代3nm工艺在良品率方面遭遇了一些挑战，但其并未因此气馁，而是持续投入研发，力求在未来的工艺中取得更好的表现。这一坚持和决心将使得三星在未来的半导体市场中保持领先地位，并持续为用户带来更为优质的产品和服务。
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