根据市调机构TrendForce发布的最新预测，2026年第二季度全球存储芯片市场涨价趋势将全面加剧。DRAM和NAND Flash两大主流芯片的合约价预计将大幅上扬，其主要驱动因素是人工智能(AI)及数据中心需求的持续爆发，导致原厂将大量产能转向高端产品，进而挤压了其他消费领域的供应。
各产品线预计涨幅如下：
DRAM(动态随机存取存储器)：预计所有类型的DRAM芯片合约价在第二季度环比增长58%-63%。
NAND Flash(闪存)：预计全产品线整体合约价格环比上涨70%-75%。
涨价背后的关键原因包括：
产能被高端需求虹吸：存储芯片制造商正积极将产能优先分配给利润更高的AI服务器用存储芯片(如高带宽存储器HBM和服务器DRAM)。同时，PC、手机等消费电子产品所需的存储芯片供给则受到大幅挤压。
供应链结构性紧缺：
PC DRAM：尽管整机市场需求有调整迹象，但由于原厂供货量主动缩减，PC制造商仍需加价采购。
服务器DRAM：尤其在大容量RDIMM规格上，因北美云服务提供商对AI推理服务器的需求旺盛，成为原厂获利核心，短期内供需极度紧张。
消费级DRAM：图形和通用消费级DRAM同样面临供应不足，甚至部分存储器模块的成本已高于整块消费品的售价。
NAND Flash市场连锁反应：
制造商通过升级制程和提高QLC(四层单元)闪存比例来增加产出的效果有限。
AI服务器市场对高速企业级固态硬盘(SSD)的需求极为强劲，导致相关订单持续增长。产能吃紧的局面预计将持续至2027年底至2028年新产能大规模开出的时期。
低利润的eMMC/UFS等嵌入式存储产品，由于与利润更高的企业级SSD使用相似制程，其供应短缺尤为严重。
PC和智能手机厂商为了控制整机成本，已开始考虑或执行削减设备存储容量的策略。
总结与展望
TrendForce报告指出，AI算力竞赛已从最高端的HBM内存向整个存储产业链传导，引发全面的产能排挤效应。分析师预测，这种由AI需求主导的全行业价格普涨局面，在2026年内将很难得到逆转。
