据报道，国内NAND闪存制造企业中规模领先的长江存储正推进扩建计划。该公司将在预计今年完工的一座晶圆厂基础上，增建两座全新厂房，待三厂全面投产后，整体产能有望实现翻倍以上增长。
目前长江存储运营两座晶圆厂，合计月产能为20万片晶圆。规划中的三座新厂每月均可贡献10万片晶圆产量，第三家工厂选址武汉，与前两家厂区同址，预计今年晚些时候投入运营。厂房主体已完工，当前阶段正进行设备安装调试。
值得关注的是，该新建产线中超过50%的设备来自国内供应商，其中包括用于芯片垂直堆叠的关键工艺设备。三座新厂均将安排部分产能用于DRAM芯片制造，具体产量将视长江存储在DRAM产品研发进展动态调整。
市场调研机构Counterpoint统计显示，2025年第三季度长江存储全球NAND出货量份额首度突破13%，已接近排名全球第四的美光科技。随着三期项目全面投产，公司年产能预计将从2025年的177万片提升至2026年的近200万片。
此外，长江存储基于Xtacking 4.0架构的294层3D TLC NAND已进入量产阶段，其存储密度达到20Gb/mm²，读写速度突破7000MB/s，产品良率超过90%，核心性能指标已与国际主流产品看齐。
